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深圳研发设计工程师招聘（工资待遇要求）

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师薪酬区间: 30K - 50K，其中100%的岗位拿￥30-50K

￥30-50K

100%的岗位拿

说明：岗位平均工资是以企业发布的招聘岗位为分析依据，建议结合职位类型及学历地区经验等查看。

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师历年工资变化

说明：数据取决于当年在线职位薪酬样本，并不能完全代表企业内部真实情况。仅供参考。

招聘学历要求：硕士最多

100% 硕士

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师需要什么学历？硕士占比最多，占100%

按学历统计

硕士￥40.0K

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师工资按学历统计，硕士工资￥40.0K。

招聘经验要求：5-10年最多

100% 5-10年

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师需要什么经验？ 5-10年占比最多，占100%

按经验统计

5-10年￥40.0K

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师工资按经验统计，5-10年工资￥40.0K。

研发设计工程师招聘地区：主要分布在深圳

深圳￥40.0K 100%(2) 򀀩

厦门芯达茂微电子有限公司研发设计工程师在哪些城市有办公地点？主要分布如下：深圳占100%，想知道其他城市分别占比多少？请点击该模块查看，统计依赖近一年招聘职位，仅供参考。

研发设计工程师历年需求趋势

研发设计工程师历年招聘量变化

深圳研发设计工程师招聘相关职位

取自厦门芯达茂微电子有限公司近一年相关招聘职位

IGBT模块研发设计工程师
深圳-南山区 | 5-10年 | 硕士以上
30000-50000

1. 功率器件技术预研及方案选型；
2. IGBT模块新产品的开发工作；
3. IGBT模块产品的维护升级工作，完成降低产品成本，保证产品良率及按时交付；
4.IGBT/IPM封装线的组建；
5.IGBT模块的推广工作
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岗位工资： FAE / 应用技术支持 / 现场 / 功率器件设计工程师 / AE工程师 / 研发设计工程师 / 模拟版图设计工程师 / 研发主管 / 硬件工程师 / 采购 /

行业工资：电子厂/电子 / 微电子 / 电源管理 / 电源 / 集成电路 / 驱动器 / 马达 / 碳化硅 / 二极管 / 氮化镓 / 功率器件 / 第三代半导体 / 半导体 / 功率半导体 / IGBT / 智能功率模块 / 驱动IC / IC / MOS管 / 马达驱动 / IPM /

省份排名：电子厂/电子 / 微电子 / 电源管理 / 电源 / 集成电路 / 驱动器 / 马达 / 碳化硅 / 二极管 / 氮化镓 / 功率器件 / 第三代半导体 / 半导体 / 功率半导体 / IGBT / 智能功率模块 / 驱动IC / IC / MOS管 / 马达驱动 / IPM /

行业报告：发展现状前景分析

电子厂/电子 -12%

电源管理 -22%

集成电路 -9%

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